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1945 Shockley成立半导体研究小组
1947.11.21 第一个晶体管，Bell Labs
1950 结型场效应晶体管提出
1956年初，杂质扩散工艺，Bell Labs
1956 Shockley三人获得诺贝尔奖
1957.10 仙童半导体成立
1958 第一个集成电路，Jack Kilby,TI
1958 Planner Process专利,含光刻工艺，Jean Hoerni（霍尔尼，八叛逆之一）,Fairchild
1959.1.23 基于平面工艺提出集成电路概念，Noyce（诺伊斯，八叛逆之一）,Fairchild
1963 首次提出CMOS技术,Wanlass，Chih-Tang Sah
1964 Gordon Moore（八叛逆之一）提出摩尔定律
1965 发明运算放大器，Bob Widlar
1967 DAWON KAHNG 和 SIMON SZE 发表了第一份关于浮栅 MOSFET 的报告
1968 Federico Faggin 和 Tom Klein 开发了集成电路 (IC) 硅栅技术，提高了 MOS IC 的可靠性、封装密度和速度
1968 Noyce与Moore共同成立Intel
1970 Intel推出DRAM
1971 Intel推出第一片微处理器4004
1973 发明互联网，Vinton Cerf,Darpa
1974 韩国电子公司三星集团通过收购韩国半导体公司进军半导体业务。
1975 修正Moore定律为晶体管数量每两年增加一倍
1971~now 半导体制程发展时间线
1971 10um,英特尔推出全球首个微处理器4004
1974 6um
1977 3um
1981 1.5um
1984 1um
1987 800nm
1990 600nm
1993 359nm
1996 250nm
1999 180nm
2001 130nm
2003 90nm
2005 65nm
2007 45nm
2009 32nm
2012 22nm FinFET工艺，首次商业化三维结构晶体管，摩尔定律开始失效
2014 14nm
2016 10nm
2018 7nm
2020 5nm
2022 3nm,三星计划实现3nm GAA（环绕栅极）技术的量产，取代FinFET。
1977 Apple II
1980 东芝员工 Fujio Masuoka 创造了闪存，这是一种非易失性可重写半导体存储设备
1980 IBM PC XT问世
1982 TI推出第一枚数字信号处理器DSP TMS320
1984 ASML成立
1985 高通成立
1986 ST意法半导体推出BCD工艺
1987 台积电成立
1993 Nvidia成立
1997 华润上华成立
2000 SMIC成立
2007 iPhone
2023 Open AI发布ChatGPT-4，未来的第三个”奇迹年”